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SUD50N06-07L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
120
100
80
60
40
V GS = 10 thru 4 V
120
100
80
60
40
T C = 125 °C
20
3V
20
25 °C
- 55 °C
0
0
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
200
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
T C = - 55 °C
0.015
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
160
25 °C
0.012
120
80
125 °C
0.009
0.006
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
40
0
0.003
0.000
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
100
8000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transconductance
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
7000
6000
5000
C iss
8
6
V DS = 30 V
I D = 50 A
4000
3000
4
2000
2
1000
C oss
0
C rss
0
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 72953
S-71661-Rev. B, 06-Aug-07
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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